電力電子技術(shù)基礎(chǔ)

　　電力電子技術(shù)基礎(chǔ)

　　1、晶體管具有電流放大作用的內(nèi)部條件是基區(qū)很薄、集電結(jié)面積大；

　　2、晶體管放大作用的實(shí)質(zhì)是用一個(gè)小電流控制一個(gè)大電流；

　　3、晶體管的擊穿電壓與溫度有關(guān)，會(huì)發(fā)生變化；

　　4、PNP型與NPN型晶體管都可以看成是反向串聯(lián)的兩個(gè)PN結(jié)；

　　5、帶阻尼晶體管是將晶體管、阻尼二極管、與保護(hù)電阻封裝在一起構(gòu)成的；

　　6、差分對(duì)管是將兩只性能參數(shù)相同的晶體管封裝在一起構(gòu)成的；

　　7、達(dá)林頓管的放大系數(shù)很高，主要用于高增益放大電路等；

　　8、場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)型和絕緣柵型兩大類；

　　9、結(jié)型場效應(yīng)不僅僅依靠溝道中的自由電子導(dǎo)電；

　　10、場效應(yīng)晶體管的輸出特性曲線可分為四個(gè)區(qū)域；

　　電力電子技術(shù)基礎(chǔ)

　　1、半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度變化而變化；

　　2、P型半導(dǎo)體又稱為空穴半型半導(dǎo)體；

　　3、PN結(jié)的P區(qū)接電源正極、N區(qū)接電源負(fù)極的接法叫做正偏；

　　4、PN結(jié)的P區(qū)接電源正極、N區(qū)接電源負(fù)極的接法叫做反偏；

　　5、PN結(jié)正向偏值時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)；

　　6、PN結(jié)反向偏值時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)；

　　7、硅二極管的正向電壓為0.7V，鍺管為0.3V；

　　8、對(duì)于質(zhì)量良好的二極管，其正向電阻一般為幾百歐姆；

　　9、穩(wěn)壓二極管廣泛應(yīng)用于穩(wěn)壓電源與限幅電路中；

　　10、變?nèi)荻�極管的反向偏壓越大，其結(jié)電容越大；