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《模擬電子技術(shù)》模擬試題四
《模擬電子技術(shù)》模擬試題四
一．填充題（每空1分，共20分）
1．按擊穿的機(jī)理區(qū)分，PN結(jié)的擊穿分為 擊穿和 擊穿。
2．電路如附圖4.1所示，當(dāng)V=5V時(shí)測(cè)得ID＝2mA；若V增大到10V，ID的值；若V不變，而環(huán)境
溫度降低時(shí)，ID的值。
3．由晶體管共射極輸出特性可見(jiàn)，在放大區(qū)iB不變時(shí)，iC隨uCE的增大而略增加，原因是uCE增大時(shí)基區(qū)有效寬
度 ，這稱為 效應(yīng)。
4．使直接耦合放大電路產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的原因主要是 和元件的 。
5．若增大固定偏置共射極放大電路中晶體管的IBQ，該放大電路大減小。
6．共集電極放大電路中的輸出電壓頂部被削平時(shí)，電路產(chǎn)生的是 失真；乙類功放電路的主要缺點(diǎn)是輸出有 失真。
7．負(fù)反饋放大電路的fHf (1 AF)fH，適用于反饋環(huán)內(nèi)只有一的電路；負(fù)反饋改善放大電路的性能是
以 為代價(jià)。
8．電容三點(diǎn)式正弦波振蕩電路的主要優(yōu)點(diǎn)是 ，主要缺點(diǎn)是 。
9．為了抑制零點(diǎn)漂移，集成運(yùn)放的輸入級(jí)一般選用 放大電路，因此由半導(dǎo)體三極管組成輸入級(jí)的集成運(yùn)放，兩個(gè)輸入端的外接電阻應(yīng) 。
10．用集成運(yùn)放組成的非正弦信號(hào)發(fā)生器一般由 和 兩個(gè)部分組成。
二．分析計(jì)算題（共80分）
1．（12分）有兩個(gè)相同的基本放大電路，負(fù)載開(kāi)路時(shí)的電壓放大倍數(shù)Au1 Au2 50、輸入電阻Ri1 Ri2 2kΩ、輸出電阻Ro1 Ro2 10kΩ，現(xiàn)用這兩個(gè)基本放大電路組成一個(gè)多級(jí)放大電路，并用內(nèi)阻Rs 2kΩ的正弦波信號(hào)源驅(qū)動(dòng)，輸出端接10kΩ的負(fù)載電阻RL。試求該多級(jí)放大電路的輸入電阻Ri、輸出電阻Ro、電壓放大倍數(shù)Au及源電壓放大倍數(shù)Aus。
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2．（12分）電路如附圖4.2所示，設(shè)T1、T2特性相同，IDSS＝4mA、UGS(off)＝－4V；調(diào)零電位器RW＝2kΩ，其滑動(dòng)端調(diào)在中點(diǎn)。試計(jì)算：
（1）靜態(tài)工作點(diǎn)的值；
�。�2）Aud、Ro；
（3）若電路改為從T1的漏極與“地”之間輸出，求這種情況下的差模電壓放大倍數(shù)、共模電壓放大倍數(shù)、共模抑制比以及輸出電阻。
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3．（12分）電路如附圖4.3所示，已知集成運(yùn)放的性能理想，T1、T2性能一致，輸入電壓是一個(gè)幅度為1V的正弦波信號(hào)。
及每個(gè)功放管的功耗PT。（1）說(shuō)出R2引入什么類型的反饋；（2）試求輸出功率Po、功放級(jí)的電源消耗功率PV、
4．（12分）電路如附圖4.4所示。已知集成運(yùn)放性能均理想，R1 R2 R、R3 R4 R5。試求：
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�。�1）Au1(s) Uo1(s)/Ui(s)的表達(dá)式；A(s) Uo(s)/Ui(s)的表達(dá)式； （2）u
�。�3）試問(wèn)運(yùn)放A1組成什么電路？整個(gè)電路又是什么電路？
5．（10分）一比較器如附圖4.5所示已知硅穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)定電壓UZ=6V，正向?qū)〞r(shí)的電壓降為0.6V，UR＝12V，集成運(yùn)放性能理想。
�。�1）試求輸出高電平UOH、低電平UOL和閾值電壓值；（2）畫(huà)出電壓傳輸特性曲線。
2-1u 4u 3uK 1VOII6．（10分）試用一個(gè)性能理想的集成運(yùn)放和的模擬乘法器設(shè)計(jì)一個(gè)運(yùn)算電路，實(shí)現(xiàn)的運(yùn)
算功能。要求畫(huà)出電路，標(biāo)出各電阻之間的比例關(guān)系。
7．（12分）電路如附圖4.6所示，設(shè)集成運(yùn)放性能理想，UI 足夠大。試求：
（1）最大輸出電壓UO(max)，并說(shuō)明在什么條件下獲得；（2）最小輸出電壓UO(min)，并說(shuō)明在什么條件下獲得。
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